..

பொருள் அறிவியல் & பொறியியல் இதழ்

ஐ.எஸ்.எஸ்.என்: 2169-0022

திறந்த அணுகல்
கையெழுத்துப் பிரதியை சமர்ப்பிக்கவும் arrow_forward arrow_forward ..

Decay of Impurity Nano-inclusions of Cobalt in Silicon under the Influence of Thermal Annealing

Abstract

Nozim Turgunov

The influence of a thermoannealing on electrical conduction of silicon monocrystals doped by cobalt has been studied. Also, analysis of sequence of the impurity nanoinclusion’s disinteration under influence of thermoannealing has been carried out by the method of electron-probe microanalysis.

மறுப்பு: இந்த சுருக்கமானது செயற்கை நுண்ணறிவு கருவிகளைப் பயன்படுத்தி மொழிபெயர்க்கப்பட்டது மற்றும் இன்னும் மதிப்பாய்வு செய்யப்படவில்லை அல்லது சரிபார்க்கப்படவில்லை

இந்தக் கட்டுரையைப் பகிரவும்

குறியிடப்பட்டது

arrow_upward arrow_upward