..

ஜர்னல் ஆஃப் எலக்ட்ரிக்கல் & எலக்ட்ரானிக் சிஸ்டம்ஸ்

ஐ.எஸ்.எஸ்.என்: 2332-0796

திறந்த அணுகல்
கையெழுத்துப் பிரதியை சமர்ப்பிக்கவும் arrow_forward arrow_forward ..

Advanced Energy Materials 2019: Reactive plasma processes for formation of high-mobility IGZO thin film transistors - Yuichi Setsuhara - Osaka University

Abstract

Yuichi Setsuhara

Receptive plasma measure frameworks have been created by means of establishment of inductively-coupled plasmas (ICP) continued with low-inductance radio wire (LIA) for low-temperature manufacture of adaptable gadgets, which require enormous territory and low harm measures with reactivity control abilities at low substrate temperature. Significant favorable position of the receptive handling framework is that the reactivity during film-testimony cycles can be improved and controlled through low-harm and high-thickness plasma creation for low-temperature preparing of gadgets.

மறுப்பு: இந்த சுருக்கமானது செயற்கை நுண்ணறிவு கருவிகளைப் பயன்படுத்தி மொழிபெயர்க்கப்பட்டது மற்றும் இன்னும் மதிப்பாய்வு செய்யப்படவில்லை அல்லது சரிபார்க்கப்படவில்லை

இந்தக் கட்டுரையைப் பகிரவும்

குறியிடப்பட்டது

arrow_upward arrow_upward